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Q68000-A5175	文件：54.98 Kbytes Page：3 Pages	LOW-NOISE N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR FOR RF APPLICATIONS Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.	SIEMENS Siemens Ltd	SIEMENS

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LOW-NOISE N-CHANNEL JUNCTION FIELD-EFFECT TRANSISTOR FOR RF APPLICATIONS

Low-NoiseN-ChannelJunctionField-EffectTransistorforRFApplications BF410A,B,C,andDareasymmetricepitaxialplanarN-channeljunctionfield-effecttransistorsinplasticpackagesimilartoTO92(10A3DIN41888).TheyaredesignedforuseuptotheVHFrange.

SIEMENS

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更多Q68000-A5175供应商更新时间2024-6-1 15:30:00

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