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Q65111A4190

High Power Infrared Emitter (940 nm)

Features: •HighPowerInfraredLED(55mW) •Halfangle(+-25°) •Lowprofilecomponent •Sidelooker •toberecessedintoPCB Applications •Datatransmission •Remotecontrol •Lightbarriers

OSRAMOSRAM GmbH

艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体

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更多Q65111A4190供应商 更新时间2025-5-23 15:43:00