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Q62702P0026	文件：1.13433 Mbytes Page：15 Pages	Silicon NPN Phototransistor Arrays Features -Package:clearepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofsensitivity:(typ)450...1100nm -Multiple-digitarraypackage -Highlinearity -Availableingroups	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P0028	文件：1.13425 Mbytes Page：15 Pages	Silicon NPN Phototransistor Arrays Features -Package:clearepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofsensitivity:(typ)450...1100nm -Multiple-digitarraypackage -Highlinearity -Availableingroups	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P0443	文件：1.14096 Mbytes Page：15 Pages	Silicon PIN Photodiode Features -Package:blackepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Wavelengthrange(S10)750nmto1100nm -Shortswitchingtime(typ.5ns) -5mmLEDplasticpackage	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P0836	文件：1.16799 Mbytes Page：16 Pages	Mini-Silicon NPN Phototransistor Features -Package:clearepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofsensitivity:(typ)450...1100nm -Highlinearity -Availableingroups	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P0956	文件：1.14096 Mbytes Page：15 Pages	Silicon PIN Photodiode Features -Package:blackepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Wavelengthrange(S10)750nmto1100nm -Shortswitchingtime(typ.5ns) -5mmLEDplasticpackage	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P1745	文件：172.98 Kbytes Page：10 Pages	GaAlAs Light Emitting Diode (660 nm) Features: •RadiationwithoutIRinthevisibleredrange •Cathodeiselectricallyconnectedtothecase •Highreliability •Shortswitchingtimes •SamepackageasBP103,LD242 •DINhumiditycategoryinacc.withDIN40040GQG Applications •Photointerrupters •Fiberoptictransmis	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
Q62702P3589	文件：1.16799 Mbytes Page：16 Pages	Mini-Silicon NPN Phototransistor Features -Package:clearepoxy -ESD:2kVacc.toANSI/ESDA/JEDECJS-001(HBM,Class2) -Spectralrangeofsensitivity:(typ)450...1100nm -Highlinearity -Availableingroups	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P5053	文件：149.28 Kbytes Page：7 Pages	GaAlAs-Lumineszenzdiode (660 nm) Features: •Fabricatedinaliquidphaseepitaxyprocess •Cathodeiselectricallyconnectedtothecase •Highreliability •Spectralmatchwithsiliconphotodetectors •Hermeticallysealedpackage Applications •Photointerrupters •IRremotecontrol •Sensortechnology •Lightcurtains	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM
Q62702P5198	文件：1.20705 Mbytes Page：16 Pages	Silicon NPN Phototransistor Features -Package:hermeticallysealed -Spectralrangeofsensitivity:(typ)400...1100nm -Hermeticallysealedmetalcanpackage(TO-18),suitableupto125°C -Baseconnection -Highphotosensitivity -Availableingroups	AMSCOams AG 艾迈斯欧司朗艾迈斯欧司朗股份公司	AMSCO
Q62702P5302	文件：170.88 Kbytes Page：6 Pages	IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Geh채use Features •Fabricatedinaliquidphaseepitaxyprocess •Anodeiselectricallyconnectedtothecase •Highreliability •MatchesallSi-Photodetectors •Hermeticallysealedpackage Applications •Photointerrupters •IRremotecontrol •Sensortechnology	OSRAMOSRAM GmbH 艾迈斯欧司朗欧司朗光电半导体	OSRAM

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