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Q6015R5	文件：230.72 Kbytes Page：10 Pages	Triacs (0.8 A to 35 A) GeneralDescription ThesegatedtriacsfromTeccorElectronicsarepartofabroadlineofbidirectionalsemiconductors.Thedevicesrangeincurrentratingsfrom0.8Ato35Aandinvoltagesfrom200Vto1000V. Features •RoHSCompliant •Electrically-isolatedpackages •Glass-passivated	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
Q6015R6	文件：536.61 Kbytes Page：7 Pages	Alternistor Triacs? GeneralDescription Teccoroffersbidirectionalalternistorswithcurrentratingsfrom6Ato40Aandvoltagesfrom200Vto1000VaspartofTeccorsbroadlineofthyristors.Teccorsalternistorisspecificallydesignedforapplicationsthatswitchhighlyinductiveloads.Aspecialchipoffers	Teccor Teccor Electronics	Teccor
Q6015R5	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC 600V 15A TO220	Littelfuse Inc. Littelfuse Inc.	Littelfuse Inc.
Q6015R5TP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶闸管 - TRIAC 描述：TRIAC 600V 15A TO220	Littelfuse Inc. Littelfuse Inc.	Littelfuse Inc.
QM6015D	文件：971.47 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
QM6015D	文件：247.43 Kbytes Page：4 Pages	P-Ch60VFastSwitchingMOSFETs	UPI uPI Semiconductor Corp	UPI
QM6015S	文件：1.59967 Mbytes Page：7 Pages	P-Channel60-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
R6015ANJ	文件：328.88 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET Structure SiliconN-channelMOSFET Features 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V. 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. Applications Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ANX	文件：1.35681 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V15APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6015ANX	文件：235.33 Kbytes Page：6 Pages	10VDriveNchMOSFET 1)Lowon-resistance. 2)Fastswitchingspeed. 3)Gate-sourcevoltage(VGSS)guaranteedtobe±30V 4)Drivecircuitscanbesimple. 5)Paralleluseiseasy. 6)Pb-freeleadplating;RoHScompliant	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
Q6015R
功能描述：
双向可控硅
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
开启状态：
RMS
电流(It_RMS)：
16 A
不重复通态电流：
120 A 额定重复关闭状态电压
VDRM：
600 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
5 uA
开启状态电压：
保持电流（Ih
最大值）：
45 mA
栅触发电压(Vgt)：
1.3 V
栅触发电流(Igt)：
1.75 mA
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
TO-220AB

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