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R6002END	文件：2.6535 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
R6002END	文件：1.79996 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
R6002ENH	文件：1.69183 Mbytes Page：14 Pages	Nch600V2APowerMOSFET lFeatures 1)Lowon-resistance 2)Fastswitching 3)Paralleluseiseasy 4)Pb-freeplating;RoHScompliant lApplication Switching	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RJK6002DJE	文件：69.33 Kbytes Page：4 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.08612 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel650V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RJK6002DPD	文件：74.61 Kbytes Page：4 Pages	SiliconNChannelMOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance •Lowleakagecurrent •Highspeedswitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJK6002DPD	文件：1.77772 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
RJK6002DPE	文件：82.89 Kbytes Page：7 Pages	600V-2A-MOSFETHighSpeedPowerSwitching Features •Lowon-resistance RDS(on)=5.7Ωtyp.(atID=1A,VGS=10V,Ta=25°C) •Lowdrivecurrent •Highdensitymounting	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RN6002	文件：94.37 Kbytes Page：3 Pages	MotorDriveCircuitApplications/PowerAmplifierApplications/PowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
S6002CS	文件：597.53 Kbytes Page：11 Pages	EVSeries2ASensitiveSCRs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse

详细参数

型号：
Q6002A
制造商：
Hewlett-Packard
功能描述：
Bulk

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