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EMB35N04A	文件：214.46 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04CS	文件：211.56 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04J	文件：175 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)35mΩ ID5A Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB35N04V	文件：197.41 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS40V RDSON(MAX.)28mΩ ID12A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HRP35N04K	文件：1.16271 Mbytes Page：8 Pages	SuperiorAvalancheRuggedTechnology	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NJD35N04G	文件：46.91 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJD35N04G	文件：96.82 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJD35N04G	文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NJVNJD35N04G	文件：128.4 Kbytes Page：4 Pages	NPNDarlingtonPowerTransistor	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NP35N04YLG	文件：215.51 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YLGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=9.7mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) ⎯RDS(on)=15mΩMAX.(VGS=5V,ID=17.5A) •Logicleveldrivetype •Gateto	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YLG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP35N04YUG	文件：231 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP35N04YUGisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=10mΩMAX.(VGS=10V,ID=17.5A) •LowCiss:Ciss=1900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
YJQ35N04A	文件：569.03 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	YANGJIEYangzhou yangjie electronic co., ltd 扬州扬杰电子扬州扬杰电子科技股份有限公司	YANGJIE

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