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RD9.1JS	文件：44.56 Kbytes Page：8 Pages	DO-34PackageLownoise,SharpBreakdowncharacteristics400mWZenerDiode [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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RD9.1JSAB	文件：39.2 Kbytes Page：3 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
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RD9.1S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD9.1SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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