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RD8.2M	文件：69.61 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2MW	文件：65.69 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES200mW3-PINMINIMOLD TypeRD2.0MWtoRD39MWSeriesare3-PINMiniMoldPackagezenerdiodespossessingallowablepowerdissipationof200mW.	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2P	文件：258.329 Kbytes Page：6 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2P	文件：257.149 Kbytes Page：1 Pages	1WPOWERMINIMOLDZENERDIODE	SKTECHNOLGYSHIKE Electronics 时科广东时科微实业有限公司	SKTECHNOLGY
RD8.2S	文件：54.8 Kbytes Page：12 Pages	ZENERDIODES200mW2PINSSUPERMINIMOLD DESCRIPTION TypeRD2.0StoRD120SSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mW. FEATURES •SharpBreakdowncharacteristic. •Vz:AppliedE24standard. APPLICATIONS CircuitforConstantVoltage,ConstantCurrent,W	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2SL	文件：84 Kbytes Page：7 Pages	ZENERDIODES DESCRIPTION TypeRD4.7SLtoRD39SLSeriesare2PINSuperMiniMoldPackagezenerdiodespossessinganallowablepowerdissipationof200mWfeaturinglownoiseandsharpbreakdowncharacteristic.Theyareintendedforuseinaudioequipment,instrumentequipment. FEATURES •LowNoise	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2UJ	文件：41.95 Kbytes Page：8 Pages	LOWNOISESHARPBREAKDOWNCHARACTERISTICSZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD8.2UM	文件：63.51 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES2PINULTRASUPERMINIMOLD SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RKZ8.2AKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ8.2BKP	文件：83.16 Kbytes Page：5 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforSurgeAbsorption Features •HighESD-Capability30kV,humanbodymodel(IEC61000-4-2). •Widezenervoltagerangefrom6.2Vthrough8.2V. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. •UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype).	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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详细参数

型号：
PZU8.2BL
功能描述：
稳压二极管 40W SNGL 200mA 8.64V Single Zener diodes
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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