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RKZ7.5BKV	文件：216.33 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features •Thesediodesaredeliveredtaped. •SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5BKV	文件：210.07 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforConstantvoltageregulator Features •Thesediodesaredeliveredtaped. •SmallResinPackageFlatleadtype(SRP-F)issuitableforcompactandhigh-densitysurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5CKU	文件：110.53 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Smalloutlineyethigh-powerpermitting500mWpowerdissipation. •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •ThinUltrasmallResinPackage(TURP-FM)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5TKL	文件：67.66 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforBi-directionalSurgeAbsorption Features •ThisproductisforaBi-directionalzenerdiodesoitspossibletouseforBi-directionalsurgeabsorption. •HighESDresistance(guaranteeof8kV,compliantwiththeIEC61000-4-2standard). •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5TKLR	文件：67.66 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforBi-directionalSurgeAbsorption Features •ThisproductisforaBi-directionalzenerdiodesoitspossibletouseforBi-directionalsurgeabsorption. •HighESDresistance(guaranteeof8kV,compliantwiththeIEC61000-4-2standard). •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5TKP	文件：68.03 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforBi-directionalSurgeAbsorption Features •ThisproductisforaBi-directionalzenerdiodesoitspossibletouseforBi-directionalsurgeabsorption. •HighESDresistance(guaranteeof8kV,compliantwiththeIEC61000-4-2standard). •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •U	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKZ7.5TKPR	文件：68.03 Kbytes Page：7 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforBi-directionalSurgeAbsorption Features •ThisproductisforaBi-directionalzenerdiodesoitspossibletouseforBi-directionalsurgeabsorption. •HighESDresistance(guaranteeof8kV,compliantwiththeIEC61000-4-2standard). •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludesConformitytoRoHSDirective. •U	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RLZ7.5	文件：219.34 Kbytes Page：4 Pages	500MWZENERLEADLESSDIODE	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ7.5	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiodeRLZSeries	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
RLZ7.5	文件：820.45 Kbytes Page：4 Pages	500mWZenerLeadlessDiode	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM

详细参数

型号：
PZU7.5B T/R
功能描述：
稳压二极管 ZENER DIODE
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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