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PZU6.8A-Q	文件：281.65 Kbytes Page：12 Pages	Marking：LR；Package：SC-76；Single Zener diodes 1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Non-repetitivepeakreversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤320mW •Toleranceseries: •B:approxim	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZU6.8ASLASHDG	文件：231 Kbytes Page：15 Pages	SingleZenerdiod 1.1Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD323(SC-76)verysmallSurface-Mounted Device(SMD)plasticpackage. 1.2Features 1.3Applications nGeneralregulationfunctions nNon-repetitivepeakreversepower dissipation:PZSM£40W nLowreversecurrentIRrange nTota	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PZU6.8B	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU6.8BL	文件：261.269 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD882package 1.1.Generaldescription General-purposeZenerdiodesinaSOD882leadlessultrasmallSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. 1.2.Features •Non-repetitivepeakrerversepowerdissipation:PZSM≤40W •Totalpowerdissipation:Ptot≤250mW •Toleranceseries:B:approximately±5	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
RD6.8E	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8E	文件：75.04 Kbytes Page：4 Pages	SILICONZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD6.8E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD6.8EAB	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD6.8ES	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC

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