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PZU30B1	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	Single Zener diodes in a SOD323F package	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
30B1	文件：143.09 Kbytes Page：3 Pages	CATHODERAYTUBE-ALLELECTROSTATIC3쩍DIA.	SIEMENSSiemens Semiconductor Group 西门子德国西门子股份公司	SIEMENS
HZ30B1	文件：45.1 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mWareideallysuitedforstabilizedpowersupply,etc. •Widespectrumfrom1.6Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HZU30B1	文件：100.59 Kbytes Page：11 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodesforStabilizer Features •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforsurfacemountdesign. •Thesediodesaredeliveredtaped.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
SRDB-30B1AH	文件：278.17 Kbytes Page：10 Pages	NON-ISOLATEDDC/DCCONVERTERS4.5V-5.5VInput0.9V-2.75V/30AOutput	bel Bel Fuse Inc.	bel
SZ30B1	文件：166.39 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountSiliconZenerDiodes VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts Features ◇CompleteVoltageRange3.3to200Volts ◇Highpeakreversepowerdissipation ◇Highreliability ◇Lowleakagecurrent ◇Pb/RoHSFree	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SZ30B1	文件：47.8 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SZ30B1	文件：28.77 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSILICONZENERDIODES VZ:3.3-200Volts PD:1.5Watts FEATURES: CompleteVoltageRange3.3to200Volts Highpeakreversepowerdissipation Highreliability Lowleakagecurrent *Pb/RoHSFree	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC

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