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HZU12B2L	文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforLowNoiseApplication	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
KUWTN-12B2	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-12B2/Q	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
KUWTN-12B2SLASHQ	文件：157.46 Kbytes Page：6 Pages	Plug-inSignalConditionersK-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-12B2	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
LWTN-12B2SLASHQ	文件：146.39 Kbytes Page：5 Pages	PowerTransducerSeriesL-UNIT	MSYSTEMM-System Co.,Ltd. 爱模爱模系统有限公司	MSYSTEM
PZU12B2	文件：64.61 Kbytes Page：12 Pages	SingleZenerdiodesinaSOD323Fpackage	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZU12B2A/DG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZU12B2ASLASHDG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
RKZ12B2KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
PZU12B2L
功能描述：
稳压二极管 40W SGL 200mA 12.24V Single Zener diodes
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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