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H11B1VM	文件：281.06 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurpose6-PinPhotodarlingtonOptocoupler Description The4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1MandTIL113Mhaveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. Features ■Highsensitivitytolowinputdrivecurrent ■MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications ■UL,C-ULapproved,Fil	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
PZU11B1ASLASHDG	文件：127.73 Kbytes Page：14 Pages	SingleZenerdiodes	ETC	ETC
RKZ11B1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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GeneralPurpose6-PinPhotodarlingtonOptocoupler

Description The4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1MandTIL113Mhaveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. Features ■Highsensitivitytolowinputdrivecurrent ■MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications ■UL,C-ULapproved,Fil

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

Fairchild

PZU11B1ASLASHDG

文件：127.73 Kbytes

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SingleZenerdiodes

ETC

RKZ11B1KD

文件：100.22 Kbytes

Page：8 Pages

SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply

Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.

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更多PZU11B1A/DG供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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