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H11B1TB-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B1-V	文件：327.69 Kbytes Page：13 Pages	6PINPHOTODARLINGTONPHOTOCOUPLER Description TheTIL113,4NXXandH11BXseriesofdeviceseachconsistofaninfraredemittingdiodeopticallycoupledtoaphotodarlingtondetector. Theyarepackagedina6-pinDIPpackageandavailableinwide-leadspacingandSMDoption. Features: •4NXXseries:4N29,4N30,4N31,4N32,4N3	EverlightEverlight Electronics Co., Ltd 台湾亿光亿光电子工业股份有限公司	Everlight
H11B1VM	文件：281.06 Kbytes Page：10 Pages	GeneralPurpose6-PinPhotodarlingtonOptocoupler Description The4N29M,4N30M,4N32M,4N33M,H11B1MandTIL113Mhaveagalliumarsenideinfraredemitteropticallycoupledtoasiliconplanarphotodarlington. Features ■Highsensitivitytolowinputdrivecurrent ■MeetsorexceedsallJEDECRegisteredSpecifications ■UL,C-ULapproved,Fil	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RKZ11B1KD	文件：100.22 Kbytes Page：8 Pages	SiliconPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply Features •Lowleakage,lowzenerimpedanceandmaximumpowerdissipationof500mW. •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •LLDPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
PZU11B1
功能描述：
稳压二极管 ZENER DIODE
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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