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PZT882J-GR	文件：308.94 Kbytes Page：2 Pages	3A, 40V NPN Silicon Medium Power Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-GR-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPN Silicon Medium Power Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-O	文件：308.94 Kbytes Page：2 Pages	3A,40VNPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-O-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-Y	文件：308.94 Kbytes Page：2 Pages	3A,40VNPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
PZT882J-Y-C	文件：309.83 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconMediumPowerTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S-882Z	文件：560.91 Kbytes Page：24 Pages	ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP ULTRA-LOWVOLTAGEOPERATIONCHARGEPUMPICFORSTEP-UPDC-DCCONVERTERSTARTUP TheS-882ZSeriesisachargepumpICforstep-upDC-DCconverterstartup,whichdiffersfromconventionalchargepumpICs,inthatitusesfullydepletedSOI(SilicononInsulator)technologytoenableultra-lowvolta	SIISeiko Instruments Inc 精工爱普生精工爱普生株式会社	SII
SIE882DF	文件：230.02 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIIIpowerMOSFET •Ultralowthermalresistanceusingtop-exposed PolarPAK®packagefordouble-sidedcooling •Leadframe-basedencapsulatedpackage -Dienotexposed -Samelayoutregardlessofdiesize,100V •LowQgd/Qgsratiohelpspreventshoot-through •	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIE882DF	文件：207.21 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIE882DF	文件：207.31 Kbytes Page：10 Pages	N-Channel25-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882ADP	文件：132.24 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882ADP	文件：512 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882ADP	文件：341.19 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SIR882BDP	文件：262.029 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •VerylowRDSxQgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDSxQossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prim	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIR882DP	文件：509.85 Kbytes Page：13 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SMBT882SS	文件：482.16 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SOD882	文件：7.08 Kbytes Page：1 Pages	Packageoutline	STANFORD Stanford Microdevices	STANFORD
STD882	文件：236.29 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •ExcellenthFELinearity •ComplementarypairwithSTB772 •SwitchingApplication Features •LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat)=0.4V(Max.)	AUK AUK corp	AUK
STD882D	文件：296.13 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •ExcellenthFELinearity •ComplementarypairwithSTB772D •SwitchingApplication Features •Lowcollectorsaturationvoltage VCE(sat)=0.4V(Max.)	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
STD882D	文件：100.77 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconTransistor Description •Suitableforlowvoltagelargecurrentdrivers •ExcellenthFELinearity •ComplementarypairwithSTB772D •SwitchingApplication Features •LowcollectorsaturationvoltageVCE(sat)=0.4V(Max.)	AUK AUK corp	AUK

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PZT882J-GR供应商更新时间2024-9-21 15:04:00

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