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PZT751T1分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

PZT751T1
厂商型号

PZT751T1

参数属性

PZT751T1 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 2A SOT223

功能描述

PNP Silicon Planar Epitaxial Transistor
TRANS PNP 60V 2A SOT223

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

文件大小

127.15 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-29 15:14:00

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PZT751T1规格书详情

PZT751T1属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由安森美半导体公司制造生产的PZT751T1晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

This PNP Silicon Epitaxial transistor is designed for use in industrial and consumer applications. The device is housed in the SOT−223 package which is designed for medium power surface mount applications.

Features

• High Current: 2.0 A

• The SOT−223 Package can be soldered using wave or reflow.

• SOT−223 package ensures level mounting, resulting in improved

thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints.

The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating

the possibility of damage to the die

• NPN Complement is PZT651T1

• Pb−Free Package is Available

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PZT751T1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    剪切带(CT)带盒(TB)

  • 晶体管类型:

    PNP

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 200mA,2A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    75 @ 1A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    75MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-261-4,TO-261AA

  • 供应商器件封装:

    SOT-223(TO-261)

  • 描述:

    TRANS PNP 60V 2A SOT223

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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