PZT2907AT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

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厂家型号：
PZT2907AT1G
产品分类：
芯片
生产厂商：
onsemi(安森美)
库存数量：
6669
产品封装：
SOT-223-4
生产批号：
25
库存类型：
优势库存
更新时间：
2025-8-5 14:01:00

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原厂料号：PZT2907AT1G品牌：onsemi(安森美)

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PZT2907AT1G是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个。制造商onsemi(安森美)/onsemi生产封装SOT-223-4/TO-261-4，TO-261AA的PZT2907AT1G晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。

芯片型号：
PZT2907AT1G
规格书：
下载下载2
企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
内容页数：
4 页
文件大小：
108.62 kb
资料说明：
PNP Silicon Epitaxial Transistor

产品属性

类型
描述
产品编号：
PZT2907AT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT223

供应商

企业：
深圳市力仕科电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
郑生
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15798481517
询价：
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PZT2907AT1G 分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 ONSEMI/安森美半导体

PZT2907AT1G

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