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PZT2907A中文资料PNP 双极晶体管数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

PZT2907A

参数属性

PZT2907A 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.8A SOT223-4

功能描述

PNP 双极晶体管
TRANS PNP 60V 0.8A SOT223-4

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 11:51:00

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PZT2907A规格书详情

描述 Description

The PNP Bipolar Transistor is designed for use as a general purpose amplifier and in switching applications. The device is housed in the SOT-223 package which is designed for medium power surface mount applications.

特性 Features

• NPN Complement is PZT2222AT1
• The SOT-223 package can be soldered using wave or reflow
• SOT-223 package ensures level mounting, resulting in improved thermal conduction, and allows visual inspection of soldered joints. The formed leads absorb thermal stress during soldering eliminating the possibility of damage to the die.
• Available in 12 mm tape and reel Use PZT2907AT1 to order the 7 inch/1000 unit reel. Use PZT2907AT3 to order the 13 inch/4000 unit reel.
• Pb-Free Packages are Available
• S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AECQ101 Qualified and PPAP Capable

简介

PZT2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PZT2907A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :PZT2907A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :1.6

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :2.6

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :100

  • hFE Max

    :300

  • fT Min (MHz)

    :200

  • PTM Max (W)

    :1.5

  • Package Type

    :SOT-223-4/TO-261-4D

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