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PZM8.2NB3 | Voltage regulator diodes DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Wideworkingvoltagerange:nom. | PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 | PHI | |
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly. | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply | RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司 | RENESAS | ||
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详细参数
- 型号：
PZM8.2NB3
- 功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
- RoHS：
否
- 制造商：
Vishay Semiconductors
- 齐纳电压：
12 V
- 电压容差：
5 %
- 电压温度系数：
0.075 %/K
- 功率耗散：
3 W
- 最大反向漏泄电流：
3 uA
- 最大齐纳阻抗：
7 Ohms
- 最大工作温度：
+ 150 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
DO-214AC
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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