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PZM6.8NB2	文件：75.34 Kbytes Page：12 Pages	Voltage regulator diodes DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Wideworkingvoltagerange:nom.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZM6.8NB2A	文件：59.42 Kbytes Page：12 Pages	Marking：6A8；Package：SOT-346；Voltage regulator double diodes	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZM6.8NB2,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
PZM6.8NB2A,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3	NXP USA Inc. NXP USA Inc.	NXP USA Inc.
HZM6.8NB2	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8NB2	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZS6.8NB2	文件：57.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
PZM6.8NB2
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多PZM6.8NB2供应商更新时间2025-5-22 15:36:00

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