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PZM6.8NB2	文件：75.34 Kbytes Page：12 Pages	Voltage regulator diodes DESCRIPTION LowpowergeneralpurposevoltageregulatordiodeinaSOT346(SC59)plasticpackage,suitableforsurface mounteddesign. FEATURES •Totalpowerdissipation:max.300mW •Smallplasticpackagesuitableforsurfacemounteddesign •Wideworkingvoltagerange:nom.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZM6.8NB2A	文件：59.42 Kbytes Page：12 Pages	Voltage regulator double diodes	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PZM6.8NB2,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 300MW SMT3	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PZM6.8NB2A,115	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 类别：分立半导体产品二极管 - 齐纳 - 单描述：DIODE ZENER 6.8V 220MW SMT3	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
HZM6.8NB2	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZM6.8NB2	文件：193.81 Kbytes Page：8 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizer Features •Widespectrumfrom1.9Vthrough38Vofzenervoltageprovideflexibleapplication. •MPAKPackageissuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HZS6.8NB2	文件：57.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarZenerDiodeforStabilizedPowerSupply	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
PZM6.8NB2
功能描述：
稳压二极管 DIODE ZENER TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市壹芯创科技有限公司	PZM6.8NB2A(6A8)	PHILIPS	22+	SOT23	12000	进口原装	询价
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更多PZM6.8NB2供应商更新时间2024-6-22 15:36:00

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