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RD3.3E	文件：346.09 Kbytes Page：5 Pages	500mWPLANARTYPESILICONZENERDIODES TheRD2.0EtoRD120Earezenerdiodeswithanallowabledissipationof500mWandaplanartypeglasssealedDHD(doubleheatsinkdiode)structure. FEATURES •Thezenervoltageserieshasawidevoltagerangeof2Vto120Vandisidealforstandardization. •TheE24seriesisemployedforthe	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RD3.3EAB	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.3EB	文件：95.2 Kbytes Page：12 Pages	500mWDHDZENERDIODEDO-35 DESCRIPTION NECTypeRD2.0EtoRD200ESeriesareplanartypezenerdiodeinthepopularDO-35packagewithDHD(DoubleHeatsinkDiode)constructionhavingallowablepowerdissipationof500mW.Tomeetvariousapplicationatcustomers,Vz(zenervoltage)isclassifiedintothetighttoleranceund	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.3ES	文件：81.53 Kbytes Page：8 Pages	400mWDHDZENERDIODEDO-34 [NEC] SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.3ES	文件：162.01 Kbytes Page：5 Pages	ZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD3.3F	文件：63.68 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES1WDO-41GLASSSEALEDPACKAGE SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.3F	文件：47.86 Kbytes Page：3 Pages	ZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD3.3FM	文件：49.47 Kbytes Page：8 Pages	ZENERDIODES SEMICONDUCTORSELECTIONGUIDE Microcomputer ICMemory Semi-CustomIC ParticularPurposeIC GeneralPurposeLinearIC Transistor/Diode/Thyristor MicrowaveDevice/ConsumerUseHighFrequencyDevice OpticalDevice Packages Index(QuickReferencebyTypeN	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
RD3.3FM	文件：92.97 Kbytes Page：2 Pages	ZENERDIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RD3.3FM	文件：459.286 Kbytes Page：2 Pages	1W3.3VZenerdiode	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳冠荣电子有限公司	SUNMATE

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详细参数

型号：
PZM3.3NB
功能描述：
稳压二极管 PZM3.3NB/SOT346/REEL7//
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
齐纳电压：
12 V
电压容差：
5 %
电压温度系数：
0.075 %/K
功率耗散：
3 W
最大反向漏泄电流：
3 uA
最大齐纳阻抗：
7 Ohms
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AC
封装：
Reel

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