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PXP6R1-30QL	文件：333.44 Kbytes Page：14 Pages	30 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmf	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
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PXP6R1-30QL

文件：333.44 Kbytes

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30 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Logic-levelcompatible •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmf

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PSMN6R1-30YLD

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更多PXP6R1-30QL供应商更新时间2024-5-15 11:01:00

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