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PXP3R7-12QU	文件：321.17 Kbytes Page：14 Pages	12 V, P-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmfo	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PXP3R7-12QU

文件：321.17 Kbytes

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12 V, P-channel Trench MOSFET

1.Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inanMLPAK33(SOT8002)Surface- MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •TrenchMOSFETtechnology •MLPAK33package(3.3x3.3mmfo

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更多PXP3R7-12QU供应商更新时间2024-4-30 11:00:00

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