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PXN6R7-30QL中文资料30 V, N-channel Trench MOSFET数据手册Nexperia规格书
PXN6R7-30QL规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in an MLPAK33 (SOT8002) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
特性 Features
• Logic-level compatible
• Trench MOSFET technology
• Ultra low QG and QGD for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
• Superfast switching with soft-recovery
• Low spiking and ringing for low EMI designs
• MLPAK33 package (3.3 x 3.3 mm footprint)
应用 Application
• DC to DC conversion
• Battery management
• Low-side load switch
• Switching circuits
技术参数
- 制造商编号
：PXN6R7-30QL
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：MLPAK33
- Product status
：Production
- Channel type
：N
- Nr of transistors
：1
- VDS [max] (V)
：30
- RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)
：6.7
- RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)
：8.6
- Tj [max] (°C)
：150
- ID [max] (A)
：21.5
- QGD [typ] (nC)
：2.1
- QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)
：7.8999996
- QG(tot) [typ] @ VGS = 10 V (nC)
：16.5
- Ptot [max] (W)
：4.8
- Qr [typ] (nC)
：6
- VGSth [typ] (V)
：1.7
- Automotive qualified
：N
- Ciss [typ] (pF)
：1150
- Coss [typ] (pF)
：380
- Release date
：2020-11-02
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
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