PXAE183708NB-V1-R2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 WOLFSPEED

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1+	面议

厂家型号：
PXAE183708NB-V1-R2
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
WOLFSPEED/WOLFSPEED, INC.
库存数量：
5000
产品封装：
PG-HB2SOF-8-1
生产批号：
22+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2024-5-14 8:01:00

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原厂料号：PXAE183708NB-V1-R2品牌：WOLFSPEED

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PXAE183708NB-V1-R2是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商WOLFSPEED/Wolfspeed, Inc.生产封装PG-HB2SOF-8-1的PXAE183708NB-V1-R2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
PXAE183708NB-V1-R2
规格书：
下载下载2
企业简称：
WOLFSPEED详情
厂商全称：
WOLFSPEED, INC.
内容页数：
9 页
文件大小：
667.95 kb
资料说明：
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 48 V, 1805 – 1880 MHz

产品属性

类型
描述
产品编号：
PXAE183708NB-V1-R2
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
散装
晶体管类型：
LDMOS
频率：
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益：
16dB
额定电流（安培）：
10µA
功率 - 输出：
320W
封装/外壳：
PG-HB2SOF-8-1
供应商器件封装：
PG-HB2SOF-8-1
描述：
320W, SI LDMOS, 28V, 1805-1880MH

供应商

企业：
深圳市辰华鼎盛电子科技有限公司
商铺：
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联系人：
张先生
手机：
18814450327
询价：
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深圳市福田区华富路1004号南光大厦821室

PXAE183708NB-V1-R2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 WOLFSPEED

PXAE183708NB-V1-R2

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