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PXAC210552FC-V1-R0

文件：702.58 Kbytes

Page：10 Pages

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 55 W, 28 V, 1805 – 2170 MHz

Description ThePXAC210552FCisa55-wattLDMOSFETwithanasymmetric designforuseinmulti-standardcellularpoweramplifierapplications inthe1805to2170MHzfrequencyband.Itfeaturesdual-pathdesign, inputandoutputmatching,andathermally-enhancedpackagewith earlessflange.

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