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PXAC201202FCV2R0

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

PXAC201202FCV2R0XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

PXAC201202FCV2R250

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

PXAC201202FCV2R250XTMA1

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 120 W, 28 V, 1800 ??2200 MHz

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

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全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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原厂原封□□□
20000
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货
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更多PXAC201202FCV2供应商 更新时间2025-7-26 10:19:00