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RBV608D	文件：50.15 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV608D	文件：155.13 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS PRV:50-1000Volts lo:6.0Amperes FEATURES: Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Highreliability Lowreversecurrent Lowforwardvoltagedrop Ratedisolation-voltage2000VAC Idealforprintedcircuitboard Verygoodheatdissipation *Pb/RoHSFree	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RBV608D	文件：217.28 Kbytes Page：2 Pages	SILICONBRIDGERECTIFIERS	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
RBV608G	文件：54.4 Kbytes Page：2 Pages	6.0ABRIDGERECTIFIERS 6.0ABRIDGERECTIFIERS	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
RC608	文件：40.25 Kbytes Page：1 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGERECTIFIER	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
RKBPC608	文件：795.03 Kbytes Page：1 Pages	6AMPFASTRECOVERYBRIDGERECTIFIER FEATURES •Ratingto1000VPRV •Highefficiency •Idealforprintedcircuitboard •Surgeoverloadratingto125Amperespeak •Reliablelowcostconstructionutilizingmoldedplastictechniqueresultsininsexpensiveproduct •ULrecognized:File#E106441 •ULrecognized94V-0plasticma	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
RKV608KL	文件：61.96 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •Highcapacitanceratio.(n=2.13to2.27) •Lowseriesresistance.(rs=0.75Ωmax) •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RKV608KP	文件：62.37 Kbytes Page：5 Pages	VariableCapacitanceDiodeforVCO Features •Highcapacitanceratio.(n=2.13to2.27) •Lowseriesresistance.(rs=0.75Ωmax) •Halogenfree,EnvironmentalfriendlyPackageincludeConformitytoRoHSDirective. •UltrasmallPackage(0.6mm×0.3mmSizeleadlesstype)	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RP608	文件：422.69 Kbytes Page：2 Pages	6AMPFASTRECOVERYSILICONDIODES	DEC DIOTEC Electronics Corporation	DEC
RS608	文件：127.31 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASESILICONBRIDGE	CHENG-YICHENG-YI ELECTRONIC CO., LTD. 辰頤電子辰頤電子有限公司	CHENG-YI

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