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PTVA035002EV分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTVA035002EV
厂商型号

PTVA035002EV

参数属性

PTVA035002EV 封装/外壳为H-36275-4;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 500 W, 50 V, 390 ??450 MHz
IC AMP RF LDMOS

封装外壳

H-36275-4

文件大小

1.0249 Mbytes

页面数量

8

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:17:00

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PTVA035002EV规格书详情

PTVA035002EV属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由英飞凌科技股份公司制造生产的PTVA035002EV晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTVA035002EVV1XWSA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    390MHz ~ 450MHz

  • 增益:

    15.5dB

  • 功率 - 输出:

    500W

  • 封装/外壳:

    H-36275-4

  • 供应商器件封装:

    H-36275-4

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS

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