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PTRA083818NF-V1-R5分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTRA083818NF-V1-R5
厂商型号

PTRA083818NF-V1-R5

参数属性

PTRA083818NF-V1-R5 封装/外壳为HBSOF-6-2;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC RF LDMOS FET 6HBSOF

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 275 W, 48 V, 733 – 805 MHz
IC RF LDMOS FET 6HBSOF

封装外壳

HBSOF-6-2

文件大小

708.76 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
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更新时间

2025-7-2 18:05:00

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PTRA083818NF-V1-R5规格书详情

PTRA083818NF-V1-R5属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PTRA083818NF-V1-R5晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Description

The PTRA083818NF is a 275-watt LDMOS FET intended for use in multi-standard

cellular power amplifier applications in the 733 to 805 MHz frequency band. Features

include input matching, high gain and thermally-enhanced package with earless

flanges. Manufactured with Wolfspeed’s advanced LDMOS process, this device

provides excellent thermal performance and superior reliability.

Features

• Broadband internal input matching

• Asymmetrical Doherty design

- Main : P1dB = 165 W Typ

- Peak : P1dB = 250 W Typ

• Typical Pulsed CW performance, 805 MHz, 48 V,

combined outputs

- Output power at P1dB = 275 W

- Efficiency = 59.6

- Gain = 18.6 dB

• Capable of handling 10:1 VSWR @ 48 V, 81.3 W

CW output power

• Integrated ESD protection

• Human Body Model class 1C (per ANSI/ESDA/

JEDEC JS-001)

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTRA083818NF-V1-R5

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    733MHz ~ 805MHz

  • 增益:

    18.6dB

  • 额定电流(安培):

    10µA

  • 功率 - 输出:

    275W

  • 封装/外壳:

    HBSOF-6-2

  • 供应商器件封装:

    PG-HBSOF-6-2

  • 描述:

    IC RF LDMOS FET 6HBSOF

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Wolfspeed, Inc.
24+
HBSOF-6-2
30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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