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PTFC210202FC-V1-R0分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

PTFC210202FC-V1-R0
厂商型号

PTFC210202FC-V1-R0

参数属性

PTFC210202FC-V1-R0 封装/外壳为H-37248-4;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:IC AMP RF LDMOS H-37248-4

功能描述

Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 28 W, 28 V, 1800 – 2200 MHz
IC AMP RF LDMOS H-37248-4

封装外壳

H-37248-4

文件大小

828.24 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 WOLFSPEED, INC.
企业简称

WOLFSPEED

中文名称

WOLFSPEED, INC.官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-1 15:01:00

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PTFC210202FC-V1-R0规格书详情

PTFC210202FC-V1-R0属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频。由WOLFSPEED, INC.制造生产的PTFC210202FC-V1-R0晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

Description

The PTFC210202FC integrates two independent 10-watt LDMOS FETs and

is designed for use in cellular amplifier applications in the 2110 to 2170

MHz frequency band. Manufactured with Wolfspeed's advanced LDMOS

process, this device provides excellent thermal performance and superior

reliability

Features

• Input matched

• Typical CW performance, 2170 MHz, 28 V,

combined outputs

- Output power at P1dB = 28 W

- Efficiency = 62

- Gain = 20.9 dB

• Capable of handling 10:1 VSWR @28 V, 28 W (CW) output power

• Integrated ESD protection : Human Body Model, Class

1C (per JESD22-A114)

• Low thermal resistance

• Pb-free and RoHS compliant

产品属性

更多
  • 产品编号:

    PTFC210202FC-V1-R0

  • 制造商:

    Wolfspeed, Inc.

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    LDMOS(双)

  • 频率:

    2.2GHz

  • 增益:

    21dB

  • 功率 - 输出:

    5W

  • 封装/外壳:

    H-37248-4

  • 供应商器件封装:

    H-37248-4

  • 描述:

    IC AMP RF LDMOS H-37248-4

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Cree/Wolfspeed
2022+
H-37248-4
38550
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
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Wolfspeed, Inc.
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30000
晶体管-分立半导体产品-原装正品
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20000
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INFINEON/英飞凌
2022+
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