PTFB211803ELV1R0XTMA1 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

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1+	面议

厂家型号：
PTFB211803ELV1R0XTMA1
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
Infineon Technologies
库存数量：
20000
产品封装：
H-33288-6
生产批号：
21+
库存类型：
常用库存
更新时间：
2025-10-23 17:30:00

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原厂料号：PTFB211803ELV1R0XTMA1品牌：Infineon Technologies

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PTFB211803ELV1R0XTMA1是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商Infineon Technologies生产封装H-33288-6的PTFB211803ELV1R0XTMA1晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
PTFB211803ELV1R0XTMA1
规格书：
下载下载2
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技股份公司
内容页数：
14 页
文件大小：
819.39 kb
资料说明：
Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs

产品属性

类型
描述
产品编号：
PTFB211803ELV1R0XTMA1
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2.17GHz
增益：
17.5dB
功率 - 输出：
40W
封装/外壳：
H-33288-6
供应商器件封装：
H-33288-6
描述：
IC AMP RF LDMOS H-33288-6

供应商

企业：
深圳市斌腾达科技有限公司
商铺：
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联系人：
赵小姐
手机：
13049883113
询价：
电话：
0755-82815082
传真：
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地址：
深圳市福田区华强北上步工业区501栋518

PTFB211803ELV1R0XTMA1 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 INFINEON/英飞凌

PTFB211803ELV1R0XTMA1

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