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PTFB201402FCV1R0	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal 文件：841.14 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB201402FCV1R0XTMA1	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal 文件：841.14 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB201402FCV1R250	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal 文件：841.14 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB201402FCV1R250XTMA1	文件：841.14 Kbytes Page：14 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Description The PTFB201402FC integrates two 70 W LDMOS FETs into one open-cavity ceramic package. It is designed primarily for Doherty cellular amplifier applications in the 2010 to 2025 MHz frequency band. Manufactured with Infineon’s advanced LDMOS process, this device offers excellent thermal 文件：841.14 Kbytes 页数：14 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
PTFB201402FCV1R0	文件：300 bytes Page：1 Pages	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon

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