| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
98900 |
23+ |
原厂原装正品现货!! |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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INFINEONNA |
28520 |
23+ |
原装进口ICMCUSOCMOS等知名国内外品牌只做原装全 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
6992 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市锦喆鸿电子有限公司5年
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INFINEON高频 |
9986 |
20+ |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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INFINEONSMD |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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InfineonN/A |
5 |
21+ |
订货库存 只做原装 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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814 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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5000 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市旺财半导体有限公司4年
留言
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1688 |
23+ |
房间现货库存:QQ:373621633 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
8218 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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英飞凌 | InfineonSOT-502A |
4550 |
21+ |
全新原装现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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INFINEO高频 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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infineon/英飞凌NA |
7000 |
2021/2022+ |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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原装INFINEOSMD |
63200 |
21+ |
一级代理/放心采购 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Wolfspeed, Inc.2-扁平封装,叶片引线,带法兰 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON高频管 |
29516 |
20+ |
高频管全新原装主营-可开原型号增税票 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌H-36248-2 |
67500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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PTFA091201EV4T500资讯
PTFA092201EV4R0XTMA1
射频金属氧化物半导体场效应(RFMOSFET)晶体管
PTFA091201EV4T500中文资料Alldatasheet PDF
更多PTFA091201E制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920 – 960 MHz
PTFA091201E V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA091201E V4 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA091201EV4R250XTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36248 T/R 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
PTFA091201EV4XWSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 36248 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Trays 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 120W H-36248-2
PTFA091201F制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 120 W, 920 – 960 MHz
PTFA091201F V4功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RFP-LDMOS GOLDMOS 8 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA091201F V4 R250功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 120 W 920-960 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTFA091201FV4R250XTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
PTFA091201FV4XWSA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 37248 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:RFP-LDMOS GOLDMOS 8 - Trays 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IC FET RF LDMOS 120W H-37248-2
