| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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ERICSSONTO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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深圳市百诺芯科技有限公司8年
留言
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ERICSSON/爱立信TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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ERICSSON/爱立信 |
332 |
23+ |
现货供应 |
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深圳市毅创腾电子科技有限公司13年
留言
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INFINEON高频管 |
3200 |
23+ |
专营高频管模块,全新原装! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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INFINEON高频管 |
350 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌SMD |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7668 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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INFINEON |
9750 |
5297+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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Infineon TechnologiesH-32259-2 |
9350 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司12年
留言
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INFINEONH-32259-2 |
3800 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口货 |
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千层芯半导体(深圳)有限公司7年
留言
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INFINEONSMD |
5500 |
2018+ |
长期供应原装现货实单可谈 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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INFENIONMSOP10 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-59.高频管 |
18800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌原装 |
67500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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INFINEON/英飞凌NA |
10500 |
22+ |
只有原装 低价 实单必成 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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InfenionMSOP10 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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Infineon TechnologiesH322592 |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
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PTF080101SV1中文资料Alldatasheet PDF
更多PTF080101制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR 10W, 860-960MHZ
PTF080101M制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 450 – 960 MHz
PTF080101M V1功能描述:IC FET RF LDMOS 10W TSSOP-10 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF080101S制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 10 W, 860 - 960 MHz
PTF080101S-制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10W, 860-960 MHz
PTF080101S V1功能描述:IC FET RF LDMOS 10W H-32259-2 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> RF FET 系列:GOLDMOS® 产品目录绘图:MOSFET SOT-23-3 Pkg 标准包装:3,000 系列:- 晶体管类型:N 通道 JFET 频率:- 增益:- 电压 - 测试:- 额定电流:30mA 噪音数据:- 电流 - 测试:- 功率 - 输出:- 电压 - 额定:25V 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供应商设备封装:SOT-23-3（TO-236） 包装:带卷(TR) 产品目录页面:1558(CN2011-ZH PDF) 其它名称:MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
PTF080101S-DS1制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:LDMOS RF Power Field Effect Transistor 10W, 860-960 MHz
PTF080101SV1功能描述:射频MOSFET电源晶体管 Hi Pwr RF LDMOS FET 10 W, 860-960 MHz RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PTF080101SV1XT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin Case 32259
