PTD8563数据手册HTSEMI中文资料规格书
技术参数
- 制造商编号
：PTD8563
- 生产厂家
：HTSEMI
- 工艺
：沟槽型
- 沟道类型
：单N
- 防静电ESD
：否
- 漏源耐压Vds(V)
：85.000
- 栅源耐压Vgs(V)
：±20
- 阈值电压Vth(V)TYP
：1.700
- 电流ID(A)
：63.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V
：10
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V
：14
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V
：0
- 规格书
：0
