PTB20111数据手册Ericsson中文资料规格书
PTB20111规格书详情
描述 Description
The 20111 is a class AB, NPN, common emitter RF power transistor intended for 25 Vdc operation from 860 to 900 MHz. Rated at 85 watts minimum output power, it may be used for both CW and PEP applications. Ion implantation, nitride surface passivation and gold metallization are used to ensure excellent device reliability. 100% lot traceability is standard.
• 25 Volt, 860–900 MHz Characteristics
- Output Power = 85 Watts
- Collector Efficiency = 50% at 85 Watts
- IMD = -30 dBc Max at 60 W(PEP)
• Class AB Characteristics
• Gold Metallization
• Silicon Nitride Passivated
技术参数
- 型号：
PTB20111
- 功能描述：
射频放大器 RF Bipolar Trans
- RoHS：
否
- 制造商：
Skyworks Solutions, Inc.
- 类型：
Low Noise Amplifier
- 工作频率：
2.3 GHz to 2.8 GHz
- P1dB：
18.5 dBm
- 输出截获点：
37.5 dBm
- 功率增益类型：
32 dB
- 噪声系数：
0.85 dB
- 工作电源电压：
5 V
- 电源电流：
125 mA
- 测试频率：
2.6 GHz
- 最大工作温度：
+ 85 C
- 安装风格：
SMD/SMT
- 封装/箱体：
QFN-16
- 封装：
Reel
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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