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PTAB182002FC分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
PTAB182002FC |
| 参数属性 | PTAB182002FC 包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：IC AMP RF LDMOS |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 190 W, 28 V, 1805 ??1880 MHz |
| 文件大小 |
569.58 Kbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | CREE |
| 中文名称 | 科锐 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2026-1-30 17:21:00 |
| 人工找货 | PTAB182002FC价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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产品属性
- 产品编号：
PTAB182002FC-V1-R250
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 包装：
带
- 描述：
IC AMP RF LDMOS
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2223+ |
26800 |
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Infineon Technologies |
21+ |
H-49248H-4 |
20000 |
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Infineon Technologies |
22+ |
H372484 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
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INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
SMD |
6895 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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Cree/Wolfspeed |
2022+ |
H-37248-4 |
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INFINEON |
23+ |
8000 |
只做原装现货 |
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INFINEON |
23+ |
7000 |
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Infineon Technologies |
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原装 |
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Infineon |
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