低压N沟道增强型场效应管

\n VDS= 20V\nRDS(ON), Vgs@1.8V, Ids@2A = 50mΩ\nRDS(ON), Vgs@2.5V, Ids@5.5A = 32mΩ\nRDS(ON), Vgs@4.5V, Ids@6.6A = 24mΩ\nFeatures\nAdvanced trench process technology\nHigh Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance\nIdeal for Li ion battery

Puolop

迪浦

20 V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET

文件：2.16136 Mbytes 页数：3 Pages

HTSEMI

金誉半导体

16-BIT RISC MICROCONTROLLER

文件：67.54 Kbytes 页数：5 Pages

RDCRDC Semiconductor

金丽科技金丽科技股份有限公司

16-BIT RISC MICROCONTROLLER

文件：66.29 Kbytes 页数：5 Pages

RDCRDC Semiconductor

金丽科技金丽科技股份有限公司

Two Layers Text/Graphic LCD Controller Specification

文件：102.12 Kbytes 页数：8 Pages

RAIO

瑞佑科技