PT8205N中文资料沟槽型功率场效应管数据手册HTSEMI规格书
技术参数
- 制造商编号
：PT8205N
- 生产厂家
：HTSEMI
- 工艺
：沟槽型
- 沟道类型
：双N
- 防静电ESD
：否
- 漏源耐压Vds(V)
：20.000
- 栅源耐压Vgs(V)
：±12
- 阈值电压Vth(V)TYP
：0.800
- 电流ID(A)
：6.000
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=10V
：0
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=4.5V
：21Typ.
- 导通电阻Rds (on) (mΩ max) at Vgs=1.8V
：28Typ.
- 规格书
：0
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