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PT4105A	文件：179.75 Kbytes Page：3 Pages	15 WATT 24V TO 5V/12V/15V ISOLATED DC-DC CONVERTER	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
PT4105A	文件：153.72 Kbytes Page：3 Pages	1500 VDC Isolation	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
PT4105A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：6-DIP 模块类别：电源 - 板安装直流转换器描述：DC DC CONVERTER 12V 15W	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
4105	文件：90.94 Kbytes Page：1 Pages	RelampableSocket	VCC Visual Communications Company	VCC
ACTR4105	文件：58.89 Kbytes Page：3 Pages	trueone-port,surface-acoustic-wave(SAW)resonator	ACTAdvanced Crystal Technology 先进的晶体先进的晶体技术	ACT
AN4105	文件：368.51 Kbytes Page：22 Pages	DesignConsiderationsforSwitchedModePowerSuppliesUsingAFairchildPowerSwitch(FPS)inaFlybackConverter Introduction Flybackswitchedmodepowersupplies(SMPS)areamongthemostfrequentlyusedpowercircuitsinhouseholdandconsumerelectronics.ThebasicfunctionofanSMPSistosupplyregulatedpowertotheloadonthesecondary,oroutputside.AnSMPStypicallyincorporatesapowertransfo	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
AUIRFR4105	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105	文件：4.78457 Mbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachievethelowestpossibleon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,p	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR4105	文件：441.74 Kbytes Page：10 Pages	AdvancedPlanarTechnology AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiscellulardesignofHEXFET®PowerMOSFETsutilizesthelatestprocessingtechniquestoachievelowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefitcombinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesign	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR4105TR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105TRL	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105TRR	文件：244.23 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedPlanarTechnologyLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105Z	文件：4.67522 Mbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thiMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitive	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
AUIRFR4105Z	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR4105Z	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
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AUIRFR4105ZTRL	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFR4105ZTRL	文件：726.28 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEGRADE Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
AUIRFR4105ZTRR	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
AUIRFU4105Z	文件：323.57 Kbytes Page：14 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowonresistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimpro	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF

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产品属性

产品编号：
PT4105A
制造商：
Texas Instruments
类别：
电源 - 板安装 > 直流转换器
系列：
PT4100 (15W)
包装：
托盘
类型：
隔离模块
电压 - 输入（最小值）：
18V
电压 - 输入（最大值）：
40V
电压 - 输出 1：
12V
电流 - 输出（最大值）：
1.25A
应用：
ITE（商业）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
效率：
82%
安装类型：
通孔
封装/外壳：
6-DIP 模块
大小 / 尺寸：
1.67" 长 x 1.48" 宽 x 0.33" 高（42.4mm x 37.6mm x 8.4mm）
描述：
DC DC CONVERTER 12V 15W

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