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NJM2337AF	文件：129.78 Kbytes Page：6 Pages	BatteryChargerIC	NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社	NJRC
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NTE2337	文件：21.62 Kbytes Page：2 Pages	SiliconNPNTransistorHighSpeedSwitch Features: •HighCollector–BaseVoltage(VCBO) •WideAreaofSafetyOperation(ASO) •GoodLinearityofDCCurrentGain(hFE)	NTE NTE Electronics, Inc	NTE
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PCX2337	文件：8.93523 Mbytes Page：28 Pages	45WAuxiliaryPowerSupplyforWhiteGoodsandIndustrialEquipmentwithNCP11187A65	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
PP2337	文件：271.37 Kbytes Page：4 Pages	HeatShrinkTubing	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
PT2337	文件：259.13 Kbytes Page：5 Pages	Stereo2WClass-DAmplifierWithBuilt-InAudioProcessor DESCRIPTION ThePT2337isanintegratedaudioamplifierdesignforthelowvoltage(5V)applicationpurpose,built-in stereo2WClass-Dpoweramplifierwithaudioprocessor,itprovides4stereosourcesselector,andallsignalprocessisbasedonpureanalogprocessingtomaintainhighperf	PTCPrinceton Technology Corporation 普诚普诚科技	PTC
RF2337	文件：40.75 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2337isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
RF2337PCBA	文件：40.75 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSEAMPLIFIER ProductDescription TheRF2337isageneralpurpose,low-costRFamplifierIC.ThedeviceismanufacturedonanadvancedGalliumArsenideHeterojunctionBipolarTransistor(HBT)process,andhasbeendesignedforuseasaneasily-cascadable50Ωgainblock.ApplicationsincludeIFandRFamplifica	RFMD RF Micro Devices	RFMD
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SI2337DS	文件：110.27 Kbytes Page：7 Pages	P-Channel80-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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详细参数

型号：
PT2337-LQ
制造商：
PTC
制造商全称：
Princeton Technology Corp
功能描述：
Stereo 2W Class-D Amplifier With Built-In Audio Processor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市莱克讯科技有限公司	PT2337-LQ	PTC	2017+	LQFP48	35689	深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票	询价
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更多PT2337-LQ供应商更新时间2024-5-14 9:35:00

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