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TS8514VB-SD-F	文件：86.76 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. GENERALINFORMATION ThedatasheetisbasedonVishayoptoelectronicssampletestingundercertainpredeterminedandass	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TS8514VB-SD-F	文件：87.29 Kbytes Page：4 Pages	SpecificationofHighPowerIREmittingDiodeChip DESCRIPTION TS8514VBisahighpowerinfrared,855nmsurfaceemitting diodeinGaAlAstechnologywithhighradiantpowerand highspeed.Polarityconfigurationis“n-up”. FEATURES •Packagetype:chip •Packageform:singlechip •Technology:surfaceemitter •Dimensionschip(LxWxH	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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更多PSMPSMR8514L供应商更新时间2025-7-13 8:50:00

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