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PSMN8R5-60YS规格书详情
1. General description
Standard level N-channel MOSFET in LFPAK package qualified to 175 °C. This product
is designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and
domestic equipment.
2. Features and benefits
• Advanced TrenchMOS provides low RDSon and low gate charge
• High efficiency gains in switching power converters
• Improved mechanical and thermal characteristics
• LFPAK provides maximum power density in a Power SO8 package
3. Applications
• DC-to-DC converters
• Lithium-ion battery protection
• Load switching
• Motor control
• Server power supplies
产品属性
- 型号：
PSMN8R5-60YS
- 功能描述：
MOSFET N-CHANNEL 60V STD LEVEL MOSFET
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
恩XP |
24+ |
N/A |
6000 |
原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！ |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
N/A |
21983 |
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询价 | ||
恩XP |
1039+ |
SOT669 |
880000 |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
SOT669 |
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恩XP |
25+ |
SOT669 |
188600 |
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恩XP |
23+ |
SOT-669 |
25000 |
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恩XP |
23+ |
SMD |
9000000 |
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恩XP |
21+ |
SOT669 |
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NEXPERIA |
24+ |
SOT-669 |
11000 |
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询价 |
