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PSMN3R3-80YSF	文件：326.54 Kbytes Page：13 Pages	NextPower80V,3.1mOhm,160A,N-channelMOSFETinLFPAK56package 1.Generaldescription NextPower80V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor industrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits •LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking •160AID[max]–demonstratedcontinuouscurrentrating •LowQG	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

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PSMN3R3-80YSF

文件：326.54 Kbytes

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NextPower80V,3.1mOhm,160A,N-channelMOSFETinLFPAK56package

1.Generaldescription NextPower80V,standardlevelgatedriveMOSFET.Qualifiedto175°Candrecommendedfor industrialandconsumerapplications. 2.Featuresandbenefits •LowQrrforhigherefficiencyandlowerspiking •160AID[max]–demonstratedcontinuouscurrentrating •LowQG

安世安世半导体(中国)有限公司

NEXPERIA

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详细参数

型号：
PSMN3R3-80PS
功能描述：
MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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