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PSMN2R0-60ES中文资料安世数据手册PDF规格书

PSMN2R0-60ES
厂商型号

PSMN2R0-60ES

功能描述

N-channel 60 V 2.2 m廓 standard level MOSFET in I2PAK

文件大小

826.79 Kbytes

页面数量

15

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-8-8 19:49:00

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产品属性

  • 型号:

    PSMN2R0-60ES

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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