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PSMN063-150规格书详情
Description
N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS1 technology.
Features
■ TrenchMOS™ technology
■ Very low on-state resistance
■ Fast Switching
■ Low thermal resistance
Applications
■ DC to DC converters
■ Switched mode power supplies
产品属性
- 型号:
PSMN063-150
- 功能描述:
MOSFET TAPE13 PWR-MOS
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT428 |
7350 |
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恩XP |
24+ |
NA/ |
7828 |
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恩XP |
24+ |
SOT252 |
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PHI |
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SOT-252 |
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恩XP |
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PHI |
23+ |
SOT-252 |
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PHI |
23+ |
TO-252 |
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恩XP |
1822+ |
TO-252 |
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恩XP |
23+ |
NA |
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恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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