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PSMN003-30P中文资料N-channel TrenchMOS intermediate level FET数据手册Nexperia规格书
PSMN003-30P规格书详情
描述 Description
SiliconMAX intermediate level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology. This product is designed and qualified for use in computing, communications, consumer and industrial applications only.
技术参数
- 型号：
PSMN003-30P
- 功能描述：
MOSFET RAIL PWR-MOS
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PHI |
2023+ |
SOT-263 |
5800 |
进口原装,现货热卖 |
询价 | ||
ON |
2023+ |
SOT404(D2PAK |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
PHI |
05+ |
原厂原装 |
1651 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
SOT-263 |
89000 |
特价特价100原装长期供货. |
询价 | ||
恩XP |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
PHI |
24+ |
TO-220 |
5000 |
全现原装公司现货 |
询价 | ||
PHI |
23+24 |
SOT263 |
17271 |
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
TO-220 |
8200 |
全新进口原装现货 |
询价 | ||
PHI |
22+ |
SOT263 |
3000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
恩XP |
22+ |
NA |
45000 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 |
