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PS2561L2-1-A	文件：5.23694 Mbytes Page：17 Pages	HIGH ISOLATION VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR TYPE DESCRIPTION ThePS2561-1isanopticallycoupledisolatorcontainingaGaAslightemittingdiodeandanNPNsilicon phototransistor. ThePS2561-1isinaplasticDIP(DualIn-linePackage)andthePS2561L-1isleadbendingtype(Gull-wing) forsurfacemount. ThePS2561L1-1iswideleadbendin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PS2561L2-1-A	文件：496.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGH ISOLATION VOLTAGE SINGLE TRANSISTOR TYPE MULTI PHOTOCOUPLER SERIES	CEL California Eastern Labs	CEL
PS2561L2-1-V	文件：100.07 Kbytes Page：12 Pages	HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEMULTIPHOTOCOUPLERSERIES DESCRIPTION ThePS2561-1,-2andPS2561L-1,-2areopticallycoupledisolatorscontainingaGaAslightemittingdiodeandanNPNsiliconphototransistor. PS2561-1,-2areinaplasticDIP(DualIn-linePackage)andPS2561L-1,-2areleadbendingtype(Gull-wing)forsurfacemount. FEATURES •H	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
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PS2561L2-1-V	文件：311.66 Kbytes Page：21 Pages	HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEMULTIPHOTOCOUPLERSERIES	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PS2561L2-1-V-A	文件：496.43 Kbytes Page：21 Pages	HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPEMULTIPHOTOCOUPLERSERIES	CEL California Eastern Labs	CEL
PS2561L2-1-V-A	文件：5.23694 Mbytes Page：17 Pages	HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPE DESCRIPTION ThePS2561-1isanopticallycoupledisolatorcontainingaGaAslightemittingdiodeandanNPNsilicon phototransistor. ThePS2561-1isinaplasticDIP(DualIn-linePackage)andthePS2561L-1isleadbendingtype(Gull-wing) forsurfacemount. ThePS2561L1-1iswideleadbendin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
PS2561L2-1Y-A	文件：5.23694 Mbytes Page：17 Pages	HIGHISOLATIONVOLTAGESINGLETRANSISTORTYPE DESCRIPTION ThePS2561-1isanopticallycoupledisolatorcontainingaGaAslightemittingdiodeandanNPNsilicon phototransistor. ThePS2561-1isinaplasticDIP(DualIn-linePackage)andthePS2561L-1isleadbendingtype(Gull-wing) forsurfacemount. ThePS2561L1-1iswideleadbendin	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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详细参数

型号：
PS2561L2-1-A
功能描述：
晶体管输出光电耦合器 Hi-Iso Photo 1-Ch
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
输入类型：
DC
最大集电极/发射极电压：
70 V
最大集电极/发射极饱和电压：
0.4 V
绝缘电压：
5300 Vrms
电流传递比：
100 % to 200 %
最大正向二极管电压：
1.65 V
最大输入二极管电流：
60 mA
最大集电极电流：
100 mA
最大功率耗散：
100 mW
最大工作温度：
+ 110 C
最小工作温度：
- 55 C
封装/箱体：
DIP-4
封装：
Bulk

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