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AOI410	文件：959.93 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOT410L	文件：324.94 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFETSDMOS? GeneralDescription TheAOT410L/AOB410LisfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgen	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOT410L	文件：1.72556 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
AOT410L	文件：289.1 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOT410L	文件：1.00966 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
AOW410	文件：327.55 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
AOW410	文件：259.8 Kbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheAOW410isfabricatedwithSDMOSTMtrenchtechnologythatcombinesexcellentRDS(ON)withlowgatecharge&lowQrr.Theresultisoutstandingefficiencywithcontrolledswitchingbehavior.ThisuniversaltechnologyiswellsuitedforPWM,loadswitchingandgeneralpurp	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体	AOSMD
AOW410-B	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOW410-G	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOW410-R	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOW410-S	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOW410-W	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AOW410-Y	文件：3.64512 Mbytes Page：41 Pages	HoneywellZephyrTMDigitalAirflowSensors	IDECIDEC Corporation IDEC株式会社	IDEC
AP410	文件：421.55 Kbytes Page：7 Pages	MMIC	RFHICRFHIC RFHIC	RFHIC
AQV410	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV410EH	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV410EHA	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV410EHAX	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQV410EHAZ	文件：54.95 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRELAYS FEATURES 1.Lowonresistancefornormallyclosedtype ThishasbeenrealizedthankstothebuiltinMOSFETprocessedbyourproprietarymethod,DSD(Double-diffusedandSelectiveDoping)method. 2.Controlslow-levelanalogsignals PhotoMOSrelaysfeatureextremelylowclosed-circuitoffsetvo	NAISPanasonic electrical machinery (China) Co. , Ltd. 松下电器松下电器机电(中国)有限公司	NAIS
AQW410EHA	文件：171.29 Kbytes Page：3 Pages	PhotoMOSRelayDimensions	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2

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详细参数

型号：
PS-410-HGOEMX
制造商：
Tripp Lite
功能描述：
POWER DISTRIBUTION STRIP, 4, 15A, 120V, 10FT; Connector
Type：
Medical Grade Outlet Strip;
Series：
-; Connector Body
Material：
Metal; No. of
Outlets：
4; Voltage Rating
VAC：
120V; Current
Rating：
15A; Connector
Color：
White ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
兆亿微波(北京)科技有限公司	PS4-10M	Pulsar			187		询价
深圳市凯斯宇科技有限公司	PS411025	PowerexInc	2022	POW-R-BLOK?模块	58	原厂原装正品,价格超越代理	询价
深圳市博浩通科技有限公司	PS411025	PowerexInc	23+	DIODEMODULESGL1000V2500A	1690	专业代理销售半导体模块,能提供更多数量	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	PS411025	PRX	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
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华富测量(深圳)传感技术有限公司	PS411025	原厂	2023+	模块	600	专营模块,继电器,公司原装现货	询价
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更多PS-410-HGOEMX供应商更新时间2024-6-8 10:02:00

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